NTE261 (NPN) & NTE262 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Darlington Power Amplifier
Description:
The NTE261 (NPN) and NTE262 (PNP) are complementary silicon Darlington power transistors in
a TO220 type package designed for general purpose amplifier and lowspeed switching applications.
Features:
D
High DC Current Gain: h
FE
= 2500 Typ @ I
C
= 4A
D
CollectorEmitter Sustaining Voltage: V
CEO(sus)
= 100V Min @ 100mA
D
Low CollectorEmitter Saturation Voltage:
V
CE(sat)
= 2V Max @ I
C
= 3A
= 4V Max @ I
C
= 5A
D
Monolithic Construction with BuiltIn BaseEmitter Shunt Resistor
Absolute Maximum Ratings:
CollectorEmitter Voltage, V
CEO
100V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
CollectorBase Voltage, V
CB
100V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
EmitterBase Voltage, V
EB
5V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
5A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak
8A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Base Current, I
B
120mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Power Dissipation (T
C
= +25
C), P
D
65W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25
C
0.52W/
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Power Dissipation (T
A
= +25
C), P
D
2W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25
C
0.016W/
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Unclamped Inductive Load Energy (Note 1), E
50mJ
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature range, T
J
65
to +150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
65
to +150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, JunctiontoCase, R
thJC
1.92
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient, R
thJA
62.5
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. I
C
= 1A, L = 100mH, P.R.F. = 10Hz, V
CC
= 20V, R
BE
= 100
.