NE856M02 NEC NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER Документация и описания электронных компонентов

Маркировка	NE856M02
Производитель	NEC (www.ncsd.necel.com)
Комментарий	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
Функционал	Радиочастотные биполярные транзисторы (RF Bipolar Transistors)

Размер файла	Страниц: 7, 64.36Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом документе:

NE856M02-T1

Посмотреть datasheet на сайте производителя

Электронный компонент «NE856M02»