NTLJF3117P ON Semiconductor Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0A Schottky Barrier Diode Документация и описания электронных компонентов

Маркировка	NTLJF3117P
Производитель	ON Semiconductor (www.onsemi.com)
Комментарий	Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0A Schottky Barrier Diode
Функционал	Мощные полевые МОП транзисторы (Power MOSFETs)

Размер файла	Страниц: 8, 90.93Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом документе:

NTLJF3117PT1G

Посмотреть datasheet на сайте производителя

Электронный компонент «NTLJF3117P»