 Freescale Semiconductor, Inc. www.freescale.com | - MRF6S21050L - RF Power Field Effect Transistors N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
В этом файле: MRF6S21050LR3, MRF6S21050LSR3427.71Кб • 12 стр.
- MRF6S21100H - RF Power Field Effect Transistors N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
В этом файле: MRF6S21100HR3, MRF6S21100HSR3432.4Кб • 12 стр.
- MRF6S21140H - RF Power Field Effect Transistors N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
В этом файле: MRF6S21140HR3, MRF6S21140HSR3464.08Кб • 12 стр.
- MRF6S21100N - RF Power Field Effect Transistors N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
В этом файле: MRF6S21100NBR1, MRF6S21100NR1678.13Кб • 16 стр.
- MRF6S21060N - RF Power Field Effect Transistors N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
В этом файле: MRF6S21060NBR1, MRF6S21060NR1621.34Кб • 16 стр.
|
|
|
| - MRF6S21050L - 2110 - 2170 MHz, 11.5 W AVG., 28V 2 x W - CDMA LATERAL N - CHANNEL RF POWER MOSFETs
В этом файле: MRF6S21050LR3, MRF6S21050LSR3
- MRF6S21060N - 2110 - 2170 MHz, 14 W AVG., 28V 2 x W - CDMA LATERAL N - CHANNEL RF POWER MOSFETs
В этом файле: MRF6S21060NR1, MRF6S21060NBR1
- MRF6S21100N - 2110 - 2170 MHz, 23 W AVG., 28V 2 x W - CDMA LATERAL N - CHANNEL RF POWER MOSFETs
В этом файле: MRF6S21100NR1, MRF6S21100NBR1
- MRF6S21140H - 2110 - 2170 MHz, 30 W AVG., 28V 2 x W - CDMA LATERAL N - CHANNEL RF POWER MOSFETs
В этом файле: MRF6S21140HR3, MRF6S21140HSR3
|
| |
Искать компонент «mrf6s21»:
|
Выделять совпадения