GT30J324 Toshiba Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT Документация и описания электронных компонентов

Маркировка	GT30J324
Производитель	Toshiba Semiconductor (www.semicon.toshiba.co.jp)
Комментарий	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
Функционал	IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) (IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors))

Размер файла	Страниц: 7, 168.4Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

Электронный компонент «GT30J324»