GT5J311 Toshiba INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT Документация и описания электронных компонентов

Маркировка	GT5J311
Производитель	Toshiba Semiconductor (www.semicon.toshiba.co.jp)
Комментарий	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
Функционал	IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) (IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors))

Размер файла	Страниц: 7, 462.1Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом документе:

GT5J311SM

Электронный компонент «GT5J311»