Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500µA, 50mA  •  Ток коллектора (макс): 500mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20,000 @ 10mA, 5V  •  Мощность макcимальная: 625mW  •  Тип транзистора: NPN - Darlington  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226