Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA  •  Ток коллектора (макс): 150mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V  •  Мощность макcимальная: 400мВт  •  Модуляция частот: 80MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226