Характеристики | Производитель: Rohm Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA • Ток коллектора (макс): 700mA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V • Мощность макcимальная: 500мВт • Модуляция частот: 100MHz • Тип транзистора: PNP • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) • Встречается под наим.: 2SB1189T100R-ND, 2SB1189T100RTR |