Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A  •  Ток коллектора (макс): 3A  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V  •  Мощность макcимальная: 1Вт  •  Модуляция частот: 9MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: PW-Mold