Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V  •  Мощность макcимальная: 900мВт  •  Модуляция частот: 50MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226