Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 3A  •  Ток коллектора (макс): 3A  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 1V  •  Мощность макcимальная: 900мВт  •  Модуляция частот: 150MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226