2SK1930TE24LQ | Электронный компонент

Характеристики

2SK1930(TE24L,Q) — MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
Дискретные полупроводники » MOSFET транзисторы (одиночные)

Производитель: Toshiba • Вредные вещества:

RoHS

Без свинца • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 2A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 100W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: 2-10S2B

Очень нужно найти?
Добавьте компонент в список автоматического поиска. Наш робот будет искать его ежедневно и сообщит вам, как только он появится.

По запросу «2SK1930TE24LQ» на складах поставщиков ничего не найдено.

Не сдаемся! Поискать компонент в: eFind, eInfo, FindChips.

На сайтах дистрибьюторов: DigiKey, Farnell, Avnet, Mouser.

В поисковых системах: Google, Яндекс, Рамблер.

Бросить клич! Оставьте сообщение на доске объявлений.

2SK1930(TE24L,Q) — MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220Дискретные полупроводники » MOSFET транзисторы (одиночные)

2SK1930(TE24L,Q) — MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
Дискретные полупроводники » MOSFET транзисторы (одиночные)