Поставщик | Наименование | Производитель | Цена | Склад | |
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED | B82422T3101K000 Inductor GP Chip Molded Wirewound 100nH 10% 100MHz 28Q-Factor Ceramic 450mA 310mOhm DCR 1210 Blister T/R Подробнее | EPCOS | 0.369$ | 5216 | |
B82422T3100K000 Inductor GP Chip Molded Wirewound 10nH 10% 100MHz 15Q-Factor Ceramic 450mA 100mOhm DCR 1210 Blister T/R Подробнее | TDK Electronics Inc. | 0.27$ | 6202 | |
B82422T3101K000 Inductor GP Chip Molded Wirewound 100nH 10% 100MHz 28Q-Factor Ceramic 450mA 310mOhm DCR 1210 Blister T/R Подробнее | TDK Electronics Inc. | 0.369$ | 5225 | |
ИП Хайруллина | B82422T3100K-ИНДУКТИВНОСТЬ 1 неделя; yпаковка: 1160 этикетка; год: 2016 | EPCOS | м. опт: 39.7716 р. | 11 | |
Индуктивность B82422-T3330-J (Epcos) 1 неделя; yпаковка: 1194 этикетка; год: 2015 | | | 40 | |
B82422T3100K-ИНДУКТИВНОСТЬ /10 НГН+-10%/ 1 неделя; yпаковка: 11600 этикетка; год: 2016 | EPCOS | | 11 | |
Чип индуктивность 0.1 H 10% B82422T3101K000 1 неделя; yпаковка: 1243 этикетка есть; год: 2018 | Epcos | м. опт: 8.44 р. | 848 | |
Чип индуктивность 0.082 H 5% B82422T3820J000 1 неделя; yпаковка: 1243 этикетка есть; год: 2018 | Epcos | м. опт: 8.44 р. | 5850 | |
Чип индуктивность 0.047 H 5% B82422T3470J000 1 неделя; yпаковка: 1243 этикетка есть; год: 2018 | Epcos | м. опт: 8.44 р. | 5939 | |
Чип индуктивность 0.027 H 5% B82422T3270J000 1 неделя; yпаковка: 1243 этикетка есть; год: 2018 | Epcos | м. опт: 8.44 р. | 5779 | |
Чип индуктивность 0.033 H 5% B82422T3330J000 1 неделя; yпаковка: 1243 этикетка есть; год: 2018 | Epcos | м. опт: 8.44 р. | 4950 | |
Чип индуктивность 0.068 H 10% B82422T3680K000 1 неделя; yпаковка: 1243 этикетка есть; год: 2018 | Epcos | м. опт: 8.44 р. | 5890 | |
ООО "СТК" | Индуктивность B82422-T3330-J (Epcos) | 20-1 | | 40 | |
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited | B82422T3820K000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3220K000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3101J000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3390K000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3680K000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3180K000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3100J000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3350J000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3150K000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3680J000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3330J000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3120K000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3560J000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3270J000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3101K000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3470J000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3820J000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3220J000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3100K000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
B82422T3390J000 yпаковка: 2-SMD, J-Lead; год: 22+ | TDK Electronics Inc. | | 55000 | |
ООО "БАРН" | Индуктивность B82422T3470J000 0.047 H 5% | | | 2 | |
Индуктивность B82422T3330J000 0.033 H 5% | | | 1 | |
Индуктивность B82422T3220K000 1210H 0.022UH | | | 2 | |
Индуктивность B82422T3220K000 1210H 0.022UH | | | 1 | |
Индуктивность B82422T3680K000 0.068uH 10% 100MHz | | | 1 | |
Индуктивность B82422T3100K000.01UH 450MA 1210 10% | | | 2 | |
Индуктивность B82422T3101K000 100nH 10% at 100MHz | | | 4 | |
HK Future Electronic Co.,Ltd | B82422-T3100-J собственный запас; год: 9840 | SIEMENS | | 2000 | |
Лайтком | B82422-T3470-K, индуктивность 0,047uH yпаковка: 2000 | Epcos | 24.6302 р. | 50 | |
B82422-T3330-K, индуктивность 0,033uH yпаковка: 2000 | Epcos | 30.3781 р. | 50 | |
B82422-T3220-K, индуктивность 0,022uH yпаковка: 2000 | Epcos | 37.4903 р. | 50 | |
1210-B82422-T 330uH K, чип индуктивность yпаковка: 2000 | Epcos | 99.0592 р. | 2 | |
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED | B82422T3220K год: 11+ | EPCOS | | 805 | |
HSMELECT TECHNOLOGY CO., LIMITED | B82422T3220K SMD; год: 11+ | EPCOS | | 805 | |
Hightech Semiconductor Co Ltd | B82422T3220K yпаковка: SMD; год: 805 | EPCOS | | 11 | |
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd. | B82422T3220K 22+; год: 1805 | EPCOS | | | |
ООО "Промэлектро-1" | B82422T3100K EPCOS 5-7дней; год: 2016 | | | 11 | |
B82422-T3330-J (Epcos) шт 6-8дней 240 | | | 40 | |
|
Дельта Электроника | 1210-B82422T 3.9 uH K | | 24.56 р. | 6-8 недель | |
1210-B82422T 330 uH K | | 24.56 р. | 6-8 недель | |
B82422T3101K000 | | 18.37 р. | 6-8 недель | |
B82422T3270J000 | | 23.02 р. | 5779 | |
B82422T3330J000 | | 23.02 р. | 4879 | |
B82422T3470J000 | | 23.02 р. | 5716 | |
B82422T3680K000 | | 23.02 р. | 5795 | |
B82422T3820J000 | | 23.02 р. | 5050 | |
B82422T3101K | | 26.44 р. | 6-8 недель | |
1210-B82422T 33 uH K | | 21.71 р. | 6-8 недель | |
1210-B82422T 3.9 uH K | | 24.46 р. | 6-8 недель | |
1210-B82422T 330 uH K | | 24.46 р. | 6-8 недель | |
B82422T1392K 1210-B82422T 3.9 uH K | | 23.11 р. | 6-8 недель | |
B82422T1334K 1210-B82422T 330 uH K | | 24.36 р. | 6-8 недель | |
B82422T1334K000 1210-B82422T 330 uH K | | 21.91 р. | 6-8 недель | |
B82422T1392K000 1210-B82422T 3.9 uH K | | 28.1 р. | 6-8 недель | |