Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  •  Ток коллектора (макс): 1A  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V  •  Мощность макcимальная: 800мВт  •  Модуляция частот: 200MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  •  Встречается под наим.: BC639RL1GOSCT