Производитель: Rohm Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V  •  Мощность макcимальная: 200mW  •  Модуляция частот: 250MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3