Характеристики | Производитель: Infineon Technologies • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Сопротивление базы (Ом): 2.2K • Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA • Ток коллектора (макс): 500mA • Модуляция частот: 100MHz • Мощность макcимальная: 330mW • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SOT-23 • Встречается под наим.: BCR503B6327XT, SP000056345 |