Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  •  Ток коллектора (макс): 200mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  •  Мощность макcимальная: 1Вт  •  Модуляция частот: 100MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-89  •  Встречается под наим.: BFN19E6327XT, SP000010998