Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

BSO303SPT — MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: OptiMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.9A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 69nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.9A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1754pF @ 25V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 2.35W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 8-SOIC  •  Встречается под наим.: BSO303SPXTINCT

   


Поставщики «BSO303SPT»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АСПЕКТ"BSO303SPT от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"BSO303SPT от 7 дней


Контактная информация

КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
ООО "АСПЕКТ"Санкт-Петербург(812) 309-89-320  0 Скрыть
ООО "Интегральные схемы"Санкт-Петербург(812) 448-53-820  0 Скрыть
«BSO303SPT» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2172 отечественных и 776 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать