Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: SIPMOS®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 60V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150mA  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 19.1pF @ 25V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 300mW  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: SOT-323  •  Встречается под наим.: SP000247312