Производитель: Diodes Inc  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Encapsulate Change 15 may 2008  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 1K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA  •  Ток коллектора (макс): 500mA  •  Модуляция частот: 200MHz  •  Мощность макcимальная: 200mW  •  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3