Характеристики | Производитель: Diodes Inc • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA • Ток коллектора (макс): 100mA • Модуляция частот: 250MHz • Мощность макcимальная: 200mW • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 • Встречается под наим.: DDTC114GCADITR |