Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: HEXFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 580mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 50V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240pF @ 25V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 1W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: 4-DIP, HVMDIP  •  Встречается под наим.: *IRFD9010PBF