Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

IXFN150N10 — MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: HiPerFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 100V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9000pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 520W  •  Mounting Type: Chassis Mount  •  Package / Case: SOT-227B miniBLOC
Архив документации

   


Производители
Версия для печати
Страница с результатами, оптимизированная для печати.
Бросить клич!
Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

Поставщики «IXFN150N10»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "Интегральные схемы"IXFN150N10 от 7 дней
Icseek Global LimitedIXFN150N10
Оригинальный и наличный и новый
IXYS 8643
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdIXFN150N10
Подробнее
Littelfuse32.0755$35000


Контактная информация

КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdSHENZHEN(86) 152200899930  0 Скрыть
Icseek Global LimitedШэньчжэнь(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908)0  0 Скрыть
ООО "Интегральные схемы"Санкт-Петербург(812) 448-53-820  0 Скрыть
«IXFN150N10» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2170 отечественных и 776 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать