Производитель: ON Semiconductor  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 3mA, 30mA  •  Ток коллектора (макс): 300mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV  •  Мощность макcимальная: 625mW  •  Модуляция частот: 350MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226