Производитель: ON Semiconductor  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA  •  Ток коллектора (макс): 600mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V  •  Мощность макcимальная: 625mW  •  Модуляция частот: 200MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226