Характеристики | Производитель: NXP Semiconductors • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Сопротивление базы (Ом): 2.2K • Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA • Ток коллектора (макс): 100mA • Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA • Мощность макcимальная: 250mW • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 • Встречается под наим.: PDTA123JK T/R, PDTA123JK T/R-ND |