Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.1A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 8V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 8V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1290pF @ 4V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 6.2W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 1206-8 ChipFET™  •  Встречается под наим.: SI5499DC-T1-E3TR