Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 23.6A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7000pF @ 15V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 125W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 10-PolarPAK® (L)  •  Встречается под наим.: SIE802DF-T1-E3TR