Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/3dmodels/41548.gif) Производитель: Vishay/Siliconix • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: TrenchFET® • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6700pF @ 25V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 3.75W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) • Встречается под наим.: SUM110N04-05H-E3CT |