Производитель: Rohm Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A  •  Ток коллектора (макс): 2A  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V  •  Мощность макcимальная: 400мВт  •  Модуляция частот: 360MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: TUMT6  •  Встречается под наим.: US6X5DKR