Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) Производитель: ON Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Сопротивление базы (Ом): 2.2K • Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA • Ток коллектора (макс): 100mA • Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA • Мощность макcимальная: 310mW • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 |