Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/3dmodels/252.gif) Производитель: Fairchild Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA • Ток коллектора (макс): 1.5A • Ток отсечки коллетора (vfrc): 200nA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V • Мощность макcимальная: 625mW • Модуляция частот: 200MHz • Тип транзистора: NPN - Darlington • Тип монтажа: Through Hole • Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 |