| Характеристики |   Производитель: Toshiba • Вредные вещества:  RoHS  Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA • Ток коллектора (макс): 1A • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 5V • Мощность макcимальная: 900мВт • Модуляция частот: 50MHz • Тип транзистора: PNP • Тип монтажа: Through Hole • Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226 |
| Архив документации | |
Поставщики «2SA1013-O(TE6,F,M)» | |
| Наименование | Производитель | Цена | Склад |  HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com |    | | 2SA1013-O(TE6,F,M) (yпаковка: TO92L; год: 22+) | TOSHIBA/ | – | 45000 | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru |   | | 2SA1013-O(TE6,F,M) | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su |  | | 2SA1013-O(TE6,F,M) | – | – | от 7 дней |
|