Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V  •  Мощность макcимальная: 150mW  •  Модуляция частот: 100MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SC-59