Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A  •  Ток коллектора (макс): 5A  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V  •  Мощность макcимальная: 1Вт  •  Модуляция частот: 170MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: 2-7B1A