Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A • Ток коллектора (макс): 5A • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V • Мощность макcимальная: 1Вт • Модуляция частот: 60MHz • Тип транзистора: PNP • Тип монтажа: Through Hole • Корпус: PW-Mold |