Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A  •  Ток коллектора (макс): 2A  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V  •  Мощность макcимальная: 1Вт  •  Модуляция частот: 80MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж