Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 6A  •  Ток коллектора (макс): 12A  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V  •  Мощность макcимальная: 30Вт  •  Модуляция частот: 50MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: 2-10R1A (TO-220 NIS)