Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A  •  Ток коллектора (макс): 12A  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  •  Мощность макcимальная: 200Вт  •  Модуляция частот: 25MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Through Hole