Характеристики | Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A • Ток коллектора (макс): 1.5A • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V • Мощность макcимальная: 500мВт • Модуляция частот: 120MHz • Тип транзистора: NPN • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) |