Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 500mA  •  Ток коллектора (макс): 800mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V  •  Мощность макcимальная: 500мВт  •  Модуляция частот: 120MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-89