Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 6A • Ток коллектора (макс): 12A • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V • Мощность макcимальная: 30Вт • Модуляция частот: 90MHz • Тип транзистора: NPN • Тип монтажа: Through Hole • Корпус: 2-10R1A (TO-220 NIS) |