Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA • Ток коллектора (макс): 200mA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V • Мощность макcимальная: 500мВт • Модуляция частот: 200MHz • Тип транзистора: NPN • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) |