Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA  •  Ток коллектора (макс): 200mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V  •  Мощность макcимальная: 500мВт  •  Модуляция частот: 200MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)