Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) Производитель: Toshiba • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA • Ток коллектора (макс): 1A • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V • Мощность макcимальная: 2Вт • Модуляция частот: 100MHz • Тип транзистора: NPN • Тип монтажа: Through Hole • Корпус: 2-10R1A (TO-220 NIS) |