Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

2SD2012(F,M) — TRANSISTOR NPN 60V 3A TO-220

Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A  •  Ток коллектора (макс): 3A  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V  •  Мощность макcимальная: 2Вт  •  Модуляция частот: 3MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-220
Архив документации

   


Поставщики «2SD2012(F,M)»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!2SD2012(F,M)
yпаковка: TO220F; год: 22+
TOSHIBA/ 45000
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!2SD2012F,MTOSHIBA 1266
ООО "Интегральные схемы"2SD2012(F,M) от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"2SD2012(F,M) от 7 дней


Контактная информация

КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedШэньчжэнь(86) 18938853596, Факс: (0755) 825698150  0 Скрыть
ООО "АСПЕКТ"Санкт-Петербург(812) 309-89-320  0 Скрыть
ООО "ЕК-Компонент"Москва(495) 849514250300  0 Скрыть
ООО "Интегральные схемы"Санкт-Петербург(812) 448-53-820  0 Скрыть
«2SD2012(F,M)» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2169 отечественных и 777 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать