Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 1A  •  Ток коллектора (макс): 3A  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 200mA, 5V  •  Мощность макcимальная: 1.3W  •  Модуляция частот: 18MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Through Hole