Характеристики | Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 30V • FET Polarity: P-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 150W • Mounting Type: Through Hole • Package / Case: TO-3P(L) (2-21F1B) • Встречается под наим.: 2SJ201YF |
Архив документации | |
|