Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 2.5A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @ 10V • FET Polarity: P-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 1.3W • Mounting Type: Through Hole |
Архив документации | ![Скрыть](/static/search/close.gif) |
Поставщики «2SJ378(TP,Q)» | |
|